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每經AI快訊,6月29日,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術(包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術)已經開始獲得應用,并具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。(上證報)
每日經濟新聞
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環球快報:六安市鼓樓街道: 多措并舉抓好安全生產工作
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