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“當前國際競爭已經由產品競爭、企業競爭上升為產業鏈之間的競爭，未來2至3年是化合物半導體產業發展的關鍵期，我國急需形成有國際競爭力產品的批量化供應能力。” 中國工程院院士，國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇在2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業發展大會開幕式上激昂陳詞。
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，硅基產品開始滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發展的需要，以第三代半導體為代表的化合物半導體材料正快速崛起。不過，在論壇期間，多位產業界人士告訴記者，盡管第三代半導體為代表的化合物半導體發展有望成為產業鏈中一個新的增長極，但是行業中存在的，痛點和堵點亦需關注。
與集成電路相比，化合物半導體制造對下游制造環節對設備的要求相對較低，投資額相對較小，因此在一定程度上能夠擺脫對高精度光刻機為代表的先進加工設備的依賴，是近年來在半導體領域有望實現突圍的賽道。
記者了解到，目前以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代化合物半導體是目前市場熱捧的對象，第三代半導體有望在光電子產業、光纖通信網絡、5G通信等基礎的信息高速公路建設中得到廣泛應用。
同時在新能源汽車領域，類似三安廣電、北方華創等本土半導體企業正在逐步發力，據北方華創襯底材料行業發展部總經理介紹，隨著新能源汽車市場的快速增長，公司第三代半導體裝配設備處于供不應求狀態。三安半導體銷售副總經理張真榕此前向第一財經記者表示，公司用于主驅的國產碳化硅功率半導體有望2023年四季度正式“上車”。
不過，在論壇期間 ，也有不少業內人士對第一財經記者表示，化合物半導體在目前發展過程中產學研的上下配合是值得關注的問題。
“大家可能覺得痛點是從0到1，但是從1到10也很難，10到n更困難。” 武漢關谷九峰山實驗室首席運營官趙勇告訴記者說。趙勇表示，從技術突破的角度來看，即便科研從無到有做出來了，但是如果沒有相應的需求場景對其進行拉動，技術的突破就沒有地方可以使用。同時，新技術在1到10過程中就無法在產品的產能和良率上得到保證。要真正的做到10到n大規模的生產，更需要通過應用對從實驗室走出來的技術和產品進行“催熟”。
干勇則指出，第三代半導體產業發展呈現出明顯的應用牽引的特點，目前，產業仍存在產學研上下游缺乏有效整合、鏈條不通暢、企業弱小散、低水平重復建設等問題。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲對記者表示，目前業界實際更應該強調從產業戰略制定技術戰略，應從應用端定義需求，然后再在產生上考慮設計、工藝以及新的標準，這樣才能真正在實現內循環的情況下走向外循環。
她呼吁大學、研究機構和企業的合作形成協同的機制。科研機構既要承接大學的基礎研究課題，不斷給大學出題，告訴學界產業的需求在哪里，同時又要對接業界的力量，幫助企業迭代研發能力。
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